Le constructeur coréen est le premier à produire en masse des puces de mémoire DDR4 de 8 Go, « gravées en 10 nm » (une dénomination qui désigne en réalité les gravures comprises entre 10 et 19 nm). Conçus pour les PC portables et les serveurs, ces nouveaux composants permettent d’économiser 10 à 20 % d’énergie par rapport à leurs homologues gravés en 20 nm. En outre, ils affichent une cadence théorique de 3,2 GHz (soit 30 % de plus que les DDR4 20 nm).

La finesse de gravure a pu être obtenue grâce à un procédé lithographique QPT (Quadruple Patterning Technology) et l’utilisation de composants réduits au maximum (des couches diélectriques ultra-fines de moins de 1 nm et des transistors d’une douzaine de nanomètres).

Une innovation pour des serveurs encore plus performants

Samsung souligne que ses nouveaux modules viendront équiper les serveurs afin d’optimiser le fonctionnement des applications déployées à grande échelle. Ils aideront notamment à accélérer les traitements in-memory, qui nécessitent énormément de puissance.

Cette nouvelle gamme de produits, dont la mise sur le marché est planifiée pour cette année, devrait proposer, à terme, des capacités allant de 4 Go (pour les portables) à 128 Go (pour les serveurs). Le constructeur prévoit également la production de modules DDR4 gravés en 10 nm spécialement conçus pour les smartphones, afin d’asseoir sa position de leader sur le marché des mobiles à écran ultra HD.