Le constructeur américain Micron Technology vient de présenter ses nouveaux modules mémoire DDR4 NVDIMM, dont la structure permet d’éviter toute perte de données contenues dans la mémoire vive. Conçus pour remplacer, à terme, la mémoire Flash NAND, ils sont capables de servir à la fois de mémoire de stockage et de DRAM. Les barrettes de mémoire proposées par Micron, d’une capacité de 8 Go, se composent ainsi de DRAM et de Flash, puis d’un contrôleur chargé de recopier le contenu de la DRAM sur la NAND. En cas de coupure de courant, une alimentation dédiée (batteries ou onduleur) permet au contrôleur de sauver les dernières données, qu’il sera aisé de restaurer. Certaines versions de ces modules seront équipées de condensateurs, facilitant leur intégration.