Après Intel et Micron à la fin juillet, qui ont annoncé leur mémoire non volatile 3D XPoint, c’est au tour de Hewlett-Packard et de SanDisk d’annoncer un accord sur le long terme afin de développer leur propre classe de mémoire. L’objectif est de donner jour à une technologie 1 000 fois plus rapide que la NAND flash.

Ce partenariat se concentrera sur le Memristor mis au point par HP et décrit comme le quatrième composant passif élémentaire, aux côtés du condensateur, de la résistance et de la bobine. C’est sur cette base que les deux partenaires développeront la « Resistive random-access memory », appelée également ReRAM ou RRAM.

Répondre aux enjeux du big data

Au-delà des gains en performance, cette mémoire devrait permettre une réduction des coûts substantielle, ainsi qu’une bien meilleure densité et persistance que la DRAM, réputée gourmande en énergie. Les applications de cette nouvelle classe de mémoire sont attendues dans les bases de données in-memory de plusieurs téraoctets de données, l’analytique en temps réel et le calcul haute performance.

L’une des questions entourant ce partenariat concerne le retard accumulé par HP et SanDisk sur ces puces, comparé à Intel et Micron. Ces derniers livreront les premiers échantillons de leur mémoire concurrente 3D XPoint à la fin de l’année, pour un démarrage commercial attendu courant 2016.